1, Amaierako eskaria fotovoltaikoa: instalatutako ahalmen fotovoltaikoaren eskaria handia da eta polisilicioaren eskaria alderantzikatu egiten da instalatutako ahalmenaren aurreikuspenaren arabera.
1.1.Polisilizio-kontsumoa: globalakontsumo bolumena etengabe hazten ari da, batez ere energia fotovoltaikorako
Azken hamar urteak, globalapolisiliziozkoakontsumoak gora egiten jarraitu du, eta Txinaren proportzioak handitzen jarraitu du, industria fotovoltaikoa buru.2012tik 2021era, mundu mailako polisiliziozko kontsumoak goranzko joera izan zuen, oro har, 237.000 tonatik 653.000 tona ingurura igoz.2018an, Txinako 531 fotovoltaiko politika berria ezarri zen, argi eta garbi energia fotovoltaikoaren sorkuntzarako diru-laguntza tasa murriztu zuena.Instalatutako potentzia fotovoltaikoa %18 jaitsi zen urte artean, eta polisilizio-eskariari eragin zion.2019az geroztik, estatuak hainbat politika ezarri ditu fotovoltaikoaren sarearen parekotasuna sustatzeko.Industria fotovoltaikoaren garapen azkarrarekin, polisilizio-eskaria ere hazkunde azkarreko garai batean sartu da.Epe horretan, Txinako polisiliziozko kontsumoaren proportzioak gora egiten jarraitu zuen kontsumo global osoan, 2012an % 61,5etik 2021ean % 93,9ra, batez ere Txinan azkar garatzen ari den industria fotovoltaikoaren ondorioz.2021ean polisilizio mota ezberdinen kontsumo-eredu globalaren ikuspegitik, zelula fotovoltaikoetarako erabilitako silizio-materialak gutxienez % 94 izango dira, eta horietatik eguzki-mailako polisilizio eta silizio pikorren % 91 eta % 3, hurrenez hurren, Txipetarako erabil daitekeen maila elektronikoko polisilicioa %94 da.Ratioa %6koa da, eta horrek erakusten du gaur egungo polisilizio-eskarian fotovoltaikoa nagusi dela.Karbono bikoitzeko politikaren berotzearekin batera, instalatutako ahalmen fotovoltaikoaren eskaria indartu egingo dela espero da, eta eguzki-mailako polisilizio-kontsumoa eta proportzioa hazten jarraituko duela.
1.2.Silizio oblea: silizio monokristalino obleak korronte nagusia hartzen du eta Czochralski etengabeko teknologia azkar garatzen da
Polisilizioaren zuzeneko lotura zuzena siliziozko obleak dira, eta gaur egun Txina da nagusi siliziozko obleen merkatu globala.2012tik 2021era, mundu mailako eta Txinako siliziozko obleak ekoizteko ahalmenak eta irteerak handitzen joan ziren, eta industria fotovoltaikoa hazten jarraitu zuen.Siliziozko obleek siliziozko materialak eta bateriak lotzen dituzten zubi gisa balio dute, eta ez dago produkzio ahalmenean zamarik, beraz, enpresa ugari erakartzen jarraitzen du industrian sartzeko.2021ean, Txinako siliziozko obleen fabrikatzaileak nabarmen hedatu zirenekoizpenaahalmena 213,5 GW-ko irteerara, eta horrek siliziozko obleen ekoizpen globala 215,4 GW-ra handitzera bultzatu zuen.Txinan dagoen eta berriki handitu den ekoizpen-gaitasunaren arabera, hurrengo urteetan urteko hazkunde-tasa % 15-25 mantenduko dela espero da, eta Txinako obleen ekoizpenak munduan erabateko posizio nagusi bat mantenduko duela espero da.
Silizio polikristalinoa silizio polikristalino lingote edo silizio monokristalino hagak egin daiteke.Silizio polikristalinoaren lingoteen ekoizpen prozesuak galdaketa metodoa eta zuzeneko urtze metodoa barne hartzen ditu batez ere.Gaur egun, bigarren mota da metodo nagusia, eta galera-tasa, funtsean, %5 inguru mantentzen da.Galdaketa-metodoa, batez ere, siliziozko materiala arragoan urtzea da lehenik, eta, ondoren, beste arrago berotu batean botatzea hozteko.Hozte-abiadura kontrolatuz, silizio polikristalinoaren lingotea solidotze norabideko teknologiaren bidez botatzen da.Zuzeneko urtze-metodoaren urtze-prozesua galdaketa-metodoaren berdina da, zeinetan polisilizioa zuzenean arragoan urtzen den lehenik, baina hozte-urratsa galdaketa-metodoaren desberdina da.Bi metodoak izaeraz oso antzekoak diren arren, zuzeneko urtze metodoak arragoa bakarra behar du, eta ekoitzitako polisiliziozko produktua kalitate onekoa da, hau da, orientazio hobea duten silizio polikristalinoen lingoteen hazkuntzarako eta hazkuntza prozesua erraza da. automatizatu, kristalaren barne-posizioa Akatsen murrizketa egin dezake.Gaur egun, eguzki-energiako materialen industriako enpresa nagusiek, oro har, zuzeneko urtze-metodoa erabiltzen dute silizio polikristalinoaren lingoteak egiteko, eta karbono- eta oxigeno-edukia nahiko baxua da, 10ppma eta 16ppma-tik behera kontrolatzen direnak.Etorkizunean, silizio polikristalinoaren lingoteen ekoizpenean urtze zuzeneko metodoa izango da nagusi oraindik, eta galera-tasa % 5 ingurukoa izango da bost urte barru.
Silizio monokristalino hagaxken ekoizpena Czochralski metodoan oinarritzen da batez ere, esekidura bertikaleko zona urtzeko metodoarekin osatua, eta biek ekoitzitako produktuek erabilera desberdinak dituzte.Czochralski metodoak grafitoaren erresistentzia erabiltzen du silizio polikristalinoa berotzeko purutasun handiko kuartzozko arrago batean hodi zuzeneko sistema termiko batean urtzeko, gero hazi-kristala urtzeko gainazalean sartu eta hazi-kristala biratu haziaren kristala alderantziz egiten duen bitartean. arragoa., hazi-kristala poliki-poliki gorantz igotzen da, eta silizio monokristalinoa hazi, anplifikazio, sorbalda biraketa, diametro berdineko hazkuntza eta akabera prozesuen bidez lortzen da.Zona flotante bertikaleko urtze-metodoak purutasun handiko material polikristalino zutabea labearen ganberan finkatzeari egiten dio erreferentzia, metalezko bobina polikristalinoaren luzera polikristalinoaren norabidean zehar poliki-poliki mugitzea eta zutabe polikristalinotik igarotzea eta metalean potentzia handiko irrati-maiztasun korrontea igarotzea. egiteko bobina Zutabe polikristalinoaren barrualdearen zati bat urtzen da, eta bobina mugitu ondoren, urtua birkristalizatu egiten da kristal bakar bat osatuz.Ekoizpen prozesu desberdinak direla eta, ekoizpen ekipamenduetan, ekoizpen kostuetan eta produktuen kalitatean desberdintasunak daude.Gaur egun, zona urtzeko metodoaren bidez lortutako produktuek purutasun handia dute eta gailu erdieroaleak fabrikatzeko erabil daitezke, Czochralski metodoak, berriz, zelula fotovoltaikoetarako kristal bakarreko silizioa ekoizteko baldintzak bete ditzake eta kostu txikiagoa du, beraz. metodo nagusia.2021ean, tira zuzenaren metodoaren merkatu-kuota % 85 ingurukoa da, eta hurrengo urteetan apur bat handitzea espero da.2025ean eta 2030ean merkatu-kuotak % 87 eta % 90 izango direla aurreikusten da.Silizio kristal bakarreko urtze barrutiari dagokionez, kristal bakarreko silizio barrutiko urtze industriaren kontzentrazioa nahiko altua da munduan.eskuratzea), TOPSIL (Danimarka).Etorkizunean, kristal bakarreko silizio urtuaren irteera eskala ez da nabarmen handituko.Arrazoia da Txinaren erlazionatutako teknologiak nahiko atzeratuak direla Japoniarekin eta Alemaniarekin alderatuta, batez ere maiztasun handiko berogailu ekipoen eta kristalizazio prozesuen baldintzen gaitasuna.Diametro handiko eremuan fusionatutako silizio kristal bakarreko teknologiak Txinako enpresek beren kabuz arakatzen jarraitzea eskatzen du.
Czochralski metodoa kristalezko tiraketa etengabeko teknologian (CCZ) eta kristalen tiraka errepikatzen duen teknologian (RCZ) bana daiteke.Gaur egun, industriako metodo nagusia RCZ da, RCZtik CCZrako trantsizio fasean dagoena.RZC-ren kristal bakarreko tiraketa eta elikadura-urratsak elkarrengandik independenteak dira.Tiraketa bakoitzaren aurretik, kristal bakarreko lingotea hoztu eta kendu behar da ate-ganberan, eta CCZ-k tira egiten duen bitartean elikaduraz eta urtzeaz jabetu daiteke.RCZ heldu samarra da, eta etorkizunean hobekuntza teknologikorako tarte gutxi dago;CCZk, berriz, kostuak murrizteko eta eraginkortasunaren hobekuntzaren abantailak ditu, eta garapen azkarrean dago.Kostuari dagokionez, RCZ-rekin alderatuta, 8 ordu inguru behar ditu haga bakarra atera baino lehen, CCZ-k asko hobetu dezake ekoizpen-eraginkortasuna, arragoa kostua eta energia-kontsumoa murrizten du urrats hau ezabatuz.Labe bakarreko irteera osoa RCZrena baino % 20 handiagoa da.Produkzio kostua RCZ baino % 10 baino gehiago txikiagoa da.Eraginkortasunari dagokionez, CCZk 8-10 kristal bakarreko siliziozko hagatxoen marrazkia osa dezake arragoaren bizi-zikloaren barruan (250 ordu), RCZ-k 4 inguru besterik ez dituen bitartean, eta ekoizpenaren eraginkortasuna % 100-150ean handitu daiteke. .Kalitateari dagokionez, CCZ-k erresistentzia uniformeagoa, oxigeno-eduki txikiagoa eta metal-ezpurutasunen metaketa motelagoa du, beraz, egokiagoa da n-motako kristal bakarreko silizio-obleak prestatzeko, garapen azkarrean daudenak ere.Gaur egun, Txinako zenbait konpainiak CCZ teknologia dutela iragarri dute, eta silizio pikordun-CCZ-n motako silizio monokristalinoen ibilbidea argia izan da funtsean, eta %100eko silizio pikordun materialak erabiltzen hasi dira..Etorkizunean, CCZk RCZ ordezkatuko du funtsean, baina prozesu jakin bat beharko du.
Silizio monokristalinoen obleen ekoizpen-prozesua lau urratsetan banatzen da: tira, xerra, xerra, garbiketa eta sailkatzea.Diamante alanbrea mozteko metodoaren sorrerak zatiketa galera-tasa asko murriztu du.Kristalen tiraketa prozesua goian deskribatu da.Ebakitze-prozesuak mozketa, koadraketa eta txaflatze eragiketak barne hartzen ditu.Ebakitzea ebakitzeko makina bat erabiltzea da silizio zutabea silizio-obletan mozteko.Garbiketa eta sailkapena dira siliziozko obleak ekoizteko azken urratsak.Diamante alanbrea mozteko metodoak abantaila nabariak ditu morteroaren alanbrea mozteko metodo tradizionalaren aldean, eta hori batez ere denbora laburrean eta galera txikian islatzen da.Diamante alanbrearen abiadura ebaketa tradizionalarena baino bost aldiz handiagoa da.Esate baterako, oblea bakarreko ebaketa egiteko, mortero-alanbre tradizionalak 10 ordu inguru irauten du, eta diamante-alanbreak 2 ordu baino ez ditu.Diamante alanbre ebaketa galera ere nahiko txikia da, eta diamante alanbre ebaketak eragindako kalte geruza mortero alanbre ebaketa baino txikiagoa da, hau da, siliziozko oblea meheagoak mozteko.Azken urteotan, ebaketa-galerak eta ekoizpen-kostuak murrizteko, enpresek diamante alanbreak ebakitzeko metodoetara jo dute, eta diamante alanbre-barren diametroa gero eta txikiagoa da.2021ean, diamante-hari-barraren diametroa 43-56 μm-koa izango da, eta silizio monokristalino-obleetarako erabiltzen den diamante-hari-barraren diametroa asko murriztuko da eta murrizten jarraituko du.2025ean eta 2030ean, silizio monokristalinozko obleak mozteko erabiltzen diren diamante-hari-barren diametroak 36 μm eta 33 μm izango dira, hurrenez hurren, eta diamante-hari-barren diametroak 51 μm-ko silizio polikristalinoak mozteko. eta 51 μm, hurrenez hurren.Hau da, silizio polikristalinoko obleetan akats eta ezpurutasun asko daudelako, eta hari meheak hausteko joera dutelako.Hori dela eta, silizio polikristalino obleen ebaketa egiteko erabiltzen den diamante hari-barraren diametroa silizio polikristalino obleen baino handiagoa da, eta silizio polikristalino obleen merkatu-kuota pixkanaka murrizten den heinean, silizio polikristalinorako erabiltzen da Diamantearen diametroa murriztea. xerretan moztutako alanbre-barrak moteldu egin dira.
Gaur egun, silizio obleak bi motatan banatzen dira nagusiki: silizio polikristalino obleak eta silizio monokristalino obleak.Silizio monokristalino obleek bizitza luzearen eta bihurtze fotoelektrikoaren eraginkortasun handiko abantailak dituzte.Silizio polikristalinozko obleak kristal-plano orientazio ezberdineko ale kristalez osatuta daude, eta kristal bakarreko obleak silizio polikristalinoz eginak dira lehengai gisa eta kristal-planoko orientazio bera dute.Itxura batean, silizio polikristalino obleak eta kristal bakarreko silizio obleak urdin-beltzak eta beltz-marroiak dira.Biak silizio polikristalinozko lingoteetatik eta silizio monokristalinozko hagaxketatik mozten direnez, hurrenez hurren, formak karratuak eta ia karratuak dira.Silizio polikristalino obleen eta silizio monokristalino obleen bizitza 20 urte ingurukoa da.Enbalatzeko metodoa eta erabilera-ingurunea egokiak badira, zerbitzu-bizitza 25 urte baino gehiago irits daiteke.Orokorrean, silizio monokristalinoen obleen bizi-iraupena apur bat luzeagoa da silizio polikristalino obleena baino.Horrez gain, silizio monokristalino obleak bihurtze fotoelektrikoaren eraginkortasunean ere zertxobait hobeak dira, eta haien dislokazio-dentsitatea eta metal ezpurutasunak silizio polikristalinoak baino askoz ere txikiagoak dira.Hainbat faktoreren efektu konbinatuak kristal bakarreko eramaile gutxieneko bizitza silizio polikristalinoen obleen baino dozenaka aldiz handiagoa da.Horrela, bihurketa-eraginkortasunaren abantailak erakutsiz.2021ean, silizio polikristalinoen obleen bihurtze-eraginkortasun handiena % 21 ingurukoa izango da, eta silizio monokristalinoen obleen % 24,2ra iritsiko da.
Bizitza luzeaz eta bihurtze-eraginkortasun handiaz gain, silizio monokristalino-oblek mehetzearen abantaila ere badute, hau da, silizio-kontsumoa eta silizio-obleen kostuak murrizteko, baina arreta jarri zatiketa-tasa handitzeari.Siliziozko obleen mehetzeak fabrikazio kostuak murrizten laguntzen du, eta egungo xerratze-prozesuak mehetzearen beharrak bete ditzake, baina siliziozko obleen lodierak beheranzko zelulen eta osagaien fabrikazioaren beharrak ere bete behar ditu.Oro har, siliziozko obleen lodiera gutxitzen ari da azken urteotan, eta silizio polikristalino obleen lodiera silizio monokristalinoen lodiera nabarmen handiagoa da.Silizio monokristalino obleak n-motako silizio-obletan eta p-motako silizio-obletan banatzen dira, n-motako silizio-oblek, batez ere, TOPCon bateriaren erabilera eta HJT bateriaren erabilera.2021ean, silizio polikristalino obleen batez besteko lodiera 178μm-koa da, eta etorkizunean eskaririk ezak mehetzen jarraitzera bultzatuko ditu.Hori dela eta, 2022tik 2024ra lodiera zertxobait murriztuko dela aurreikusten da, eta 2025etik aurrera lodiera 170μm ingurukoa izango dela;p motako silizio monokristalino obleen batez besteko lodiera 170μm ingurukoa da, eta 2025 eta 2030ean 155μm eta 140μm-ra jaistea espero da. N motako silizio monokristalino obleen artean, HJT zeluletarako erabiltzen diren silizio obleen lodiera ingurukoa da. 150μm, eta TOPCon zeluletarako erabiltzen diren n motako silizio-obleen batez besteko lodiera 165μm da.135μm.
Gainera, silizio polikristalino obleen ekoizpenak silizio monokristalino obleek baino silizio gehiago kontsumitzen dute, baina ekoizpen urratsak nahiko sinpleak dira, eta horrek kostu abantailak ekartzen ditu silizio polikristalino oblei.Silizio polikristalinoak, silizio polikristalinoaren obleen eta silizio monokristalinoen obleen lehengai arrunt gisa, kontsumo ezberdina du bien ekoizpenean, hau da, bien garbitasun eta produkzio urratsen desberdintasunengatik.2021ean, lingote polikristalinoaren silizio-kontsumoa 1,10 kg/kg da.Ikerkuntzan eta garapenean egindako inbertsio mugatuak etorkizunean aldaketa txikiak ekarriko dituela espero da.Tira-haixkaren silizio-kontsumoa 1.066 kg/kg da, eta optimizaziorako tarte jakin bat dago.1,05 kg/kg eta 1,043 kg/kg izatea espero da 2025 eta 2030ean, hurrenez hurren.Kristal bakarreko tiraketa-prozesuan, tirakailuaren silizio-kontsumoa murriztea lor daiteke garbiketa eta birrinketaren galera murriztuz, ekoizpen-ingurunea zorrozki kontrolatuz, inprimagailuen proportzioa murriztuz, doitasun-kontrola hobetuz eta sailkapena optimizatuz. eta degradatutako siliziozko materialen prozesatzeko teknologia.Silizio polikristalino obleen silizio kontsumoa handia den arren, silizio polikristalino obleen ekoizpen kostua nahiko altua da, silizio polikristalino lingoteak urtze beroko lingoteen galdaketa bidez ekoizten direlako, eta silizio monokristalinoak normalean Czochralski kristal bakarreko labeetan hazkuntza motelean sortzen dira. potentzia nahiko altua kontsumitzen duena.Baxua.2021ean, silizio monokristalinoko obleen batez besteko ekoizpen-kostua 0,673 yuan/W ingurukoa izango da, eta silizio polikristalinoarena 0,66 yuan/W izango da.
Siliziozko oblearen lodiera txikiagotzen den heinean eta diamante alanbrearen diametroa txikiagotzen den heinean, kilogramo bakoitzeko diametro berdineko siliziozko hagak / lingoteen irteera handitu egingo da eta pisu bereko kristal bakarreko siliziozko hagatxoen kopurua hori baino handiagoa izango da. silizio polikristalinozko lingoteen.Potentziari dagokionez, siliziozko oblea bakoitzak erabiltzen duen potentzia motaren eta tamainaren arabera aldatzen da.2021ean, p motako 166 mm-ko tamainako barra karratu monokristalinoen irteera 64 pieza ingurukoa da kilogramo bakoitzeko, eta lingote karratu polikristalinoen irteera 59 pieza ingurukoa da.P motako kristal bakarreko siliziozko obleen artean, 158,75 mm-ko tamainako hagaxka monokristalinoen irteera 70 pieza ingurukoa da kilogramo bakoitzeko, p motako 182mm-ko kristal bakarreko hagaxka karratuen irteera 53 pieza ingurukoa da kilogramo bakoitzeko, eta p. -Mota 210 mm-ko tamainako kristal bakarreko hagaxkak kilogramo bakoitzeko 53 pieza ingurukoa da.Barra karratuaren irteera 40 pieza ingurukoa da.2022tik 2030era, siliziozko obleen etengabeko mehetzeak, dudarik gabe, bolumen bereko siliziozko hagak/ingoteen kopurua handitzea ekarriko du.Diamantezko hari-barraren diametro txikiagoak eta partikulen tamaina ertainekoak ere ebaketa-galerak murrizten lagunduko du, eta, ondorioz, ekoitzitako obleen kopurua handitzen da.kantitatea.2025 eta 2030ean, 166 mm-ko tamainako p motako hagatxo karratu monokristalinoen irteera kilogramo bakoitzeko 71 eta 78 pieza ingurukoa dela kalkulatzen da, eta lingote karratu polikristalinoen irteera 62 eta 62 pieza ingurukoa dela, merkatu baxuaren ondorioz. Silizio polikristalino obleen kuota Zaila da aurrerapen teknologiko nabarmena eragitea.Siliziozko obleen mota eta tamaina ezberdinen potentzian desberdintasunak daude.158,75 mm-ko silizio-obleten batez besteko potentziaren iragarpenaren datuen arabera, 5,8 W/pieza ingurukoa da, 166 mm-ko silizio-obleten batez besteko potentzia 6,25 W/pieza ingurukoa da eta 182 mm-ko silizio-obleen batez besteko potentzia 6,25 W/pieza ingurukoa da. .Tamainako oblearen batez besteko potentzia 7,49W/pieza ingurukoa da, eta 210mm-ko siliziozko oblearen batez besteko potentzia 10W/pieza ingurukoa da.
Azken urteotan, siliziozko obleak pixkanaka-pixkanaka tamaina handiaren norabidean garatu dira, eta tamaina handiak txip bakar baten potentzia areagotzeko aproposa da, horrela zelulen siliziorik gabeko kostua diluitzeko.Hala eta guztiz ere, silizio-obleen tamaina-doikuntzak goranzko eta beherako lotzeko eta estandarizazio-arazoak ere kontuan hartu behar ditu, batez ere karga eta egungo arazoak.Gaur egun, merkatuan bi eremu daude siliziozko obleen tamainaren etorkizuneko garapenaren norabideari dagokionez, hots, 182 mm-ko tamaina eta 210 mm-ko tamaina.182 mm-ko proposamena industria bertikalaren integrazioaren ikuspegitik dago batez ere, zelula fotovoltaikoen instalazioa eta garraioa, moduluen potentzia eta eraginkortasuna eta upstream eta downstream arteko sinergia kontuan hartuta;210mm, berriz, ekoizpen kostuaren eta sistemaren kostuaren ikuspegitik batez ere.210 mm-ko siliziozko obleen irteera % 15 baino gehiago handitu zen labe bakarreko hagaxka marrazteko prozesuan, beheranzko bateriaren ekoizpen-kostua 0,02 yuan/W inguru murriztu zen eta zentral elektrikoaren eraikuntzaren kostu osoa 0,1 yuan inguru murriztu zen. W.Datozen urteetan, 166 mm-tik beherako tamaina duten siliziozko obleak pixkanaka ezabatzea espero da;210 mm-ko siliziozko obleen gorako eta beherako uztartze-arazoak modu eraginkorrean konponduko dira pixkanaka, eta kostua enpresen inbertsioari eta ekoizpenari eragiten dion faktore garrantzitsuagoa bihurtuko da.Hori dela eta, 210 mm-ko silizio-obleen merkatu-kuota handituko da.Igoera etengabea;182 mm-ko silizio-oblea merkatuko tamaina nagusi bihurtuko da bertikalki integratutako ekoizpenean dituen abantailengatik, baina 210 mm-ko silizio-oblea aplikazioaren teknologia aurrerapenarekin, 182 mm-ek bide emango dio.Gainera, zaila da hurrengo urteetan tamaina handiagoko siliziozko obleak merkatuan oso erabiltzea, tamaina handiko siliziozko obleen lan-kostua eta instalazio-arriskua asko handituko direlako, eta hori zaila da konpentsatzea. ekoizpen-kostuetan eta sistema-kostuetan aurreztea..2021ean, merkatuan dauden siliziozko obleen tamainak 156,75 mm, 157 mm, 158,75 mm, 166 mm, 182 mm, 210 mm eta abar dira. Horien artean, 158,75 mm eta 166 mm-ren tamainak guztizkoaren % 50 izan ziren eta 156 mm-ren tamaina. %5era jaitsi da, etorkizunean pixkanaka ordezkatuko dena;166 mm lehendik dagoen bateria ekoizteko lerrorako berritu daitekeen tamaina handiena da, azken bi urteetan tamaina handiena izango duena.Trantsizio-tamainari dagokionez, 2030ean merkatu-kuota %2 baino txikiagoa izango dela aurreikusten da;182 mm eta 210 mm-ko tamaina konbinatuak % 45 izango dira 2021ean, eta merkatu-kuota azkar handituko da etorkizunean.2030ean merkatu-kuota osoa % 98tik gorakoa izango dela espero da.
Azken urteotan, silizio monokristalinoaren merkatu-kuota handitzen joan da, eta merkatuan posizio nagusia okupatu du.2012tik 2021era, silizio monokristalinoaren proportzioa % 20tik % 93,3ra igo zen, hazkunde nabarmena.2018an, merkatuan dauden siliziozko obleak batez ere silizio polikristalinozko obleak dira, % 50 baino gehiago hartzen dutenak.Arrazoi nagusia da silizio monokristalinoen abantaila teknikoek ezin dituztela kostuen desabantailak estali.2019az geroztik, silizio monokristalinoen obleen bihurtze fotoelektrikoaren eraginkortasuna silizio polikristalino obleena nabarmen gainditu duenez, eta silizio monokristalino obleen ekoizpen-kostuak jaisten jarraitu du aurrerapen teknologikoarekin, silizio monokristalinoen obleen merkatu-kuota handitzen joan da, bihurtuz. merkatuan nagusiena.produktua.Silizio monokristalinoen obleen proportzioa % 96 ingurura iritsiko dela 2025ean, eta silizio monokristalinoen obleen merkatu-kuota % 97,7ra iritsiko da 2030ean. (Txosten iturria: Future Think Tank)
1.3.Bateriak: PERC bateriak nagusi dira merkatuan, eta n motako baterien garapenak produktuaren kalitatea gora egiten du
Industria fotovoltaikoaren katearen erdiko loturak zelula fotovoltaikoak eta zelula fotovoltaikoen moduluak biltzen ditu.Siliziozko obleak zeluletan prozesatzea da konbertsio fotoelektrikoa gauzatzeko urrats garrantzitsuena.Zazpi urrats inguru behar dira siliziozko olata batetik ohiko zelula bat prozesatzeko.Lehenik eta behin, jarri siliziozko oblea azido fluorhidrikoan piramide-itxurako egitura bat sortzeko gainazalean, eguzki-argiaren islagarritasuna murriztuz eta argiaren xurgapena areagotuz;bigarrena, Fosforoa silizio-oblearen alde bateko gainazalean hedatzen da PN juntura bat osatzeko, eta bere kalitateak zuzenean eragiten du zelularen eraginkortasunean;hirugarrena, difusio-etapan silizio-oblearen alboan sortutako PN juntura kentzea da, zelularen zirkuitu laburra saihesteko;Silizio nitrurozko film geruza bat estaltzen da PN juntura eratzen den aldean argiaren isla murrizteko eta, aldi berean, eraginkortasuna areagotzeko;bosgarrena siliziozko oblearen aurrealdean eta atzealdean metalezko elektrodoak inprimatzea da, fotovoltaikoek sortutako eramaile minoritarioak biltzeko;Inprimatze-etapan inprimatutako zirkuitua sinterizatu eta eratzen da, eta silizio-oblearekin, hau da, zelularekin integratzen da;azkenik, eraginkortasun desberdinak dituzten zelulak sailkatzen dira.
Siliziozko zelula kristalinoak siliziozko obleekin egin ohi dira substratu gisa, eta p motako zeluletan eta n motako zeluletan bana daitezke siliziozko obleen motaren arabera.Horien artean, n motako zelulek bihurtze-eraginkortasun handiagoa dute eta pixkanaka p motako zelulak ordezkatzen ari dira azken urteotan.P motako siliziozko obleak silizioa boroarekin dopatuz egiten dira, eta n motako siliziozko obleak fosforoz egiten dira.Hori dela eta, n-motako silizio-oblean boro-elementuaren kontzentrazioa txikiagoa da, eta, ondorioz, boro-oxigeno-konplexuen lotura eragozten du, silizio-materialaren garraiolari gutxiengoaren iraupena hobetzen du eta, aldi berean, ez dago foto-induzitutako atenuaziorik. baterian.Horrez gain, n-motako gutxiengo-eramaileak zuloak dira, p motako gutxiengo-eramaileak elektroiak dira eta zuloetarako ezpurutasun-atomo gehienen sekzioa elektroiena baino txikiagoa da.Hori dela eta, n motako zelularen eramaile minoritarioen iraupena handiagoa da eta bihurketa fotoelektrikoaren tasa handiagoa da.Laborategiko datuen arabera, p motako zelulen bihurtze-efizientziaren goiko muga % 24,5 da, eta n motako zelulen bihurtze-eraginkortasuna % 28,7koa da, beraz, n motako zelulek etorkizuneko teknologiaren garapenaren norabidea adierazten dute.2021ean, n motako zelulek (heterojunkzio zelulak eta TOPCon zelulak barne hartzen dituzte batez ere) kostu nahiko handiak dituzte, eta ekoizpen masiboaren eskala txikia da oraindik.Gaur egungo merkatu-kuota %3 ingurukoa da, hau da, funtsean, 2020koaren berdina.
2021ean, n motako zelulen bihurtze-eraginkortasuna nabarmen hobetuko da, eta hurrengo bost urteetan aurrerapen teknologikorako tarte gehiago egongo dela aurreikusten da.2021ean, p motako zelula monokristalinoen eskala handiko ekoizpenak PERC teknologia erabiliko du eta batez besteko bihurtze-eraginkortasuna % 23,1era iritsiko da, ehuneko 0,3 puntu gehiago 2020arekin alderatuta;PERC teknologia erabiliz silizio beltz polikristalinoen zelula bihurtzeko eraginkortasuna % 21,0ra iritsiko da, 2020arekin alderatuta. Urteko ehuneko 0,2 puntuko hazkundea;Silizio beltza polikristalinozko zelula-zelulen eraginkortasunaren hobekuntza ez da sendoa, 2021ean bihurtze-eraginkortasuna % 19,5 ingurukoa izango da, ehuneko 0,1 puntu baino handiagoa, eta etorkizuneko eraginkortasuna hobetzeko espazioa mugatua da;lingote monokristalinoen PERC zelulen batez besteko bihurtze-eraginkortasuna % 22,4koa da, hau da, PERC monokristalinoen zelula baino ehuneko 0,7 puntu txikiagoa;n-motako TOPCon zelulen batez besteko bihurtze-eraginkortasuna % 24ra iristen da eta heterojunkzio-zelulen batez besteko bihurtze-eraginkortasuna % 24,2ra iristen da, biak asko hobetu dira 2020arekin alderatuta, eta IBC zelulen batez besteko bihurtze-eraginkortasuna % 24,2ra iristen da.Etorkizunean teknologiaren garapenarekin, TBC eta HBC bezalako bateria-teknologiek ere aurrera egiten jarrai dezakete.Etorkizunean, ekoizpen-kostuak murriztearekin eta etekinaren hobekuntzarekin, n motako bateriak izango dira bateria-teknologiaren garapen-ildo nagusietako bat.
Baterien teknologiaren ibilbidearen ikuspuntutik, bateriaren teknologiaren eguneraketa iteratiboa BSF, PERC, PERC hobekuntzan oinarritutako TOPCon eta HJT, PERC iraultzen duen teknologia berritik igaro dira batez ere;TOPCon IBCrekin konbinatu daiteke TBC sortzeko, eta HJT IBCrekin ere konbina daiteke HBC bihurtzeko.P motako zelula monokristalinoek batez ere PERC teknologia erabiltzen dute, p motako zelula polikristalinoek silizio beltz polikristalino zelulak eta lingotezko zelula monokristalinoak barne hartzen dituzte, azken honek hazi kristalino monokristalinoak gehitzeari egiten dio erreferentzia, lingote polikristalino konbentzionalaren prozesuarekin, solidotze noranzkoa. Ondoren, a Siliziozko lingote karratua eratzen da, eta kristal bakarrearekin eta polikristalinoarekin nahastutako siliziozko ostia bat egiten da prozesatzeko prozesu batzuen bidez.Funtsean prestatzeko bide polikristalinoa erabiltzen duenez, p motako zelula polikristalinoen kategorian sartzen da.N motako zelulek, batez ere, TOPCon zelula monokristalinoak, HJT zelula monokristalinoak eta IBC zelula monokristalinoak dira.2021ean, masa-ekoizpen-lerro berriak PERC zelulen produkzio-lerroak izango dira oraindik nagusi, eta PERC zelulen merkatu-kuota % 91,2ra igoko da.Kanpoko eta etxeko proiektuetarako produktuen eskaera eraginkortasun handiko produktuetan kontzentratu denez, BSF baterien merkatu kuota % 8,8tik % 5era jaitsiko da 2021ean.
1.4.Moduluak: zelulen kostua zati nagusia da, eta moduluen potentzia zelulen araberakoa da.
Modulu fotovoltaikoen ekoizpen-urratsek batez ere zelulen interkonexioa eta laminazioa barne hartzen dituzte, eta zelulek moduluaren kostu osoaren zati handi bat hartzen dute.Zelula bakar baten korrontea eta tentsioa oso txikiak direnez, zelulak elkarren artean konektatu behar dira bus-barren bidez.Hemen, seriean konektatzen dira tentsioa handitzeko, eta, ondoren, paraleloan konektatzen dira korronte handia lortzeko, eta, ondoren, beira fotovoltaikoa, EVA edo POE, bateria Xafla, EVA edo POE, atzeko xafla zigilatu eta berotzen dira ordena jakin batean. , eta, azkenik, aluminiozko markoaz eta silikonazko zigilatzeko ertzaz babestua.Osagaien ekoizpen kostuaren konposizioaren ikuspegitik, materialaren kostua % 75 da, posizio nagusia hartzen du, eta ondoren fabrikazio kostua, errendimendu kostua eta lan kostua.Materialen kostua zelulen kostua da.Enpresa askoren iragarpenen arabera, zelulak modulu fotovoltaikoen kostu osoaren 2/3 inguru dira.
Modulu fotovoltaikoak normalean zelula mota, tamaina eta kantitatearen arabera banatzen dira.Modulu ezberdinen potentzian desberdintasunak daude, baina guztiak goranzko fasean daude.Potentzia modulu fotovoltaikoen adierazle nagusi bat da, moduluak eguzki-energia elektrizitate bihurtzeko duen gaitasuna adierazten duena.Modulu fotovoltaiko mota ezberdinen potentzia-estatistiketatik ikus daiteke, moduluaren tamaina eta zelula kopurua berdina denean, moduluaren potentzia n motako kristal bakarrekoa > p motako kristal bakarra > polikristalinoa dela;Zenbat eta tamaina eta kantitate handiagoak, orduan eta potentzia handiagoa izango du moduluak;TOPCon kristal bakarreko moduluetarako eta zehaztapen bereko heterojunkzio moduluetarako, bigarrenaren potentzia lehenengoarena baino handiagoa da.CPIAren iragarpenaren arabera, moduluen potentzia urtean 5-10W handituko da hurrengo urteetan.Horrez gain, moduluen ontziratzeak potentzia-galera jakin bat ekarriko du, batez ere galera optikoa eta galera elektrikoa barne.Lehenengoa, beira fotovoltaikoa eta EVA bezalako ontzi-materialen transmisio eta desegokitze optikoen ondorioz sortzen da, eta bigarrenak, batez ere, eguzki-zelulak seriean erabiltzeari egiten dio erreferentzia.Soldadura zintaren eta bus-barraren erresistentziaren ondorioz sortutako zirkuituaren galerak eta zelulen paraleloen konexioak eragindako korronte-galerak, bi horien potentzia-galera guztira %8 inguru da.
1.5.Instalatutako ahalmen fotovoltaikoa: hainbat herrialdetako politikak bultzatuta daude, eta etorkizunean ahalmen instalatu berrirako leku handia dago.
Munduak, funtsean, adostasuna lortu du ingurumena babesteko xedearen arabera zero isuri garbiei buruz, eta gainjarritako proiektu fotovoltaikoen ekonomia pixkanaka azaleratu da.Herrialdeak aktiboki aztertzen ari dira energia berriztagarrien energiaren sorkuntzaren garapena.Azken urteotan, mundu osoko herrialdeek karbono isuriak murrizteko konpromisoak hartu dituzte.Berotegi-efektuko gas-igorle nagusi gehienek energia berriztagarrien helburuak formulatu dituzte, eta energia berriztagarrien instalatutako ahalmena handia da.1,5 ℃ tenperatura kontrolatzeko helburuan oinarrituta, IRENAk aurreikusten du instalatutako energia berriztagarrien ahalmen globala 10,8TW-ra iritsiko dela 2030ean. Gainera, WOODMac-en datuen arabera, Txinan, Indian, eguzki-energiaren sorkuntzaren elektrizitate-kostu maila (LCOE) Ameriketako Estatu Batuak eta beste herrialde batzuk energia fosil merkeena baino baxuagoak dira dagoeneko, eta etorkizunean gehiago behera egingo du.Hainbat herrialdetako politiken sustapen aktiboa eta energia fotovoltaikoaren sorkuntzaren ekonomiak munduan eta Txinan fotovoltaikoen instalatutako ahalmen metatua etengabe handitzea ekarri dute azken urteotan.2012tik 2021era, munduan fotovoltaikaren instalatutako ahalmen metatua 104,3GWtik 849,5GWra igoko da, eta Txinan fotovoltaikoen instalatutako ahalmen metatua 6,7GWtik 307GWra igoko da, 44 aldiz baino gehiagoko hazkundea.Gainera, Txinak instalatu berri duen ahalmen fotovoltaikoa munduko instalatutako ahalmen osoaren %20 baino gehiago hartzen du.2021ean, Txinan instalatu berri den potentzia fotovoltaikoa 53 GWkoa da, munduko instalatutako ahalmen berriaren % 40 inguru.Hau da, batez ere, Txinan argi energia-baliabideen banaketa ugari eta uniformearen ondorioz, ibaian gora eta behera ondo garatutakoa eta politika nazionalen laguntza sendoaren ondorioz.Epe horretan, Txinak zeresan handia izan du energia fotovoltaikoaren sorkuntzan, eta instalatutako ahalmen metatua %6,5 baino gutxiago izan da.%36,14ra egin zuen salto.
Aurreko analisian oinarrituta, CPIAk mundu osoan 2022tik 2030era igo berri diren instalazio fotovoltaikoen aurreikuspena eman du.Baldintza baikor nahiz kontserbadoreetan, 2030ean instalatu berri den potentzia globala 366 eta 315 GWkoa izango dela kalkulatzen da, eta Txinak instalatutako ahalmen berria 128, 105 GWkoa izango dela.Jarraian, polisilizio-eskaria aurreikusiko dugu urtero instalatu berri den ahalmenaren arabera.
1.6.Aplikazio fotovoltaikoetarako polisilizioaren eskariaren aurreikuspena
2022tik 2030era, agertoki baikor nahiz kontserbadoreetan, CPIAren aurreikuspenetan oinarrituta, PV aplikazioetarako polisilizio-eskaria aurreikus daiteke.Zelulak konbertsio fotoelektrikoa gauzatzeko funtsezko urratsa dira, eta siliziozko obleak zelulen oinarrizko lehengaiak dira eta polisilicioaren zuzeneko zuzena, beraz, polisiliziozko eskariaren aurreikuspenaren zati garrantzitsua da.Siliziozko hagaxken eta lingoteen kilogramo bakoitzeko pieza kopurua haztatuta kalkula daiteke kilogramoko pieza kopurutik eta siliziozko hagaxken eta lingoteen merkatu-kuotatik.Ondoren, tamaina desberdinetako siliziozko obleen potentziaren eta merkatu-kuotaren arabera, siliziozko obleen potentzia haztatua lor daiteke, eta, ondoren, behar den siliziozko obleen kopurua kalkula daiteke instalatu berri den edukiera fotovoltaikoaren arabera.Ondoren, beharrezkoak diren siliziozko hagaxken eta lingoteen pisua siliziozko obleen kopuruaren eta siliziozko hagaxken eta siliziozko lingoteen kopuruaren arteko erlazio kuantitatiboaren arabera lor daiteke kilogramo bakoitzeko.Siliziozko hagak/siliziozko lingoteen silizio-kontsumo haztatuarekin batera, instalatu berri den ahalmen fotovoltaikorako polisilizio-eskaria lor daiteke azkenean.Aurreikusitako emaitzen arabera, azken bost urteetan instalazio fotovoltaiko berrietarako polisilizio-eskari globalak gora egiten jarraituko du, 2027an gailurra lortuz, eta hurrengo hiru urteetan apur bat jaitsiz.2025ean baldintza baikor eta kontserbadoreetan, instalazio fotovoltaikoetarako polisilizio-eskari globala 1.108.900 tona eta 907.800 tonakoa izango da, hurrenez hurren, eta 2030ean aplikazio fotovoltaikoetarako polisilizio-eskari globala 1.042.100 tonakoa izango da baldintza baikor eta kontserbadoreetan. ., 896.900 tona.Txinaren araberaInstalatutako potentzia fotovoltaiko globalaren proportzioa,Txinak erabilera fotovoltaikorako polisilicioaren eskaera 2025ean369.600 tona eta 302.600 tona izango dira, hurrenez hurren, baldintza baikor eta kontserbadoreetan, eta 739.300 tona eta 605.200 tona atzerrian hurrenez hurren.
2, Erdieroaleen amaierako eskaria: eskala eremu fotovoltaikoko eskaria baino askoz txikiagoa da, eta etorkizuneko hazkundea espero daiteke.
Zelula fotovoltaikoak egiteaz gain, polisilizioa txipak egiteko lehengai gisa ere erabil daiteke eta erdieroaleen alorrean erabiltzen da, zeina automobilgintza, industria elektronika, komunikazio elektronikoa, etxetresna elektrikoak eta beste alor batzuetan banatu daitezkeen.Polisiliziotik txipetarako prozesua hiru urratsetan banatzen da nagusiki.Lehenik eta behin, polisilicioa silizio monokristalinoko lingoteetan marrazten da, eta, ondoren, silizio oble finetan mozten da.Siliziozko obleak artezketa, txanflaketa eta leunketa eragiketa batzuen bidez ekoizten dira., erdieroaleen fabrikako oinarrizko lehengaia dena.Azkenik, siliziozko oblea moztu eta laser bidez grabatzen da hainbat zirkuitu egituretan, ezaugarri jakin batzuk dituzten txip-produktuak egiteko.Siliziozko oble arruntak, batez ere, leundutako obleak, epitaxial obleak eta SOI obleak dira.Leundutako oblea lautasun handiko txiparen ekoizpen-materiala da, siliziozko oblea leuntzean lortzen den gainazaleko geruza kaltetua kentzeko, zuzenean txipak, oble epitaxialak eta SOI siliziozko obleak egiteko.Epitaxial obleak leundutako obleen hazkunde epitaxialaren bidez lortzen dira, eta SOI siliziozko obleak, berriz, leundutako obleen substratuetan lotura edo ioiak ezarriz fabrikatzen dira, eta prestaketa prozesua nahiko zaila da.
2021ean erdieroaleen aldean polisilizio-eskaeraren bidez, agentziaren hurrengo urteetan erdieroaleen industriaren hazkunde-tasaren aurreikuspenarekin batera, 2022tik 2025era erdieroaleen alorrean polisilizio-eskaera gutxi gorabehera kalkula daiteke.2021ean, maila elektronikoko polisilizio-ekoizpen globala polisilizio-ekoizpen osoaren %6 inguru izango da, eta eguzki-mailako polisilicioa eta silizio granularra %94 inguru.Maila elektronikoko polisilizio gehiena erdieroaleen eremuan erabiltzen da, eta beste polisilicio batzuk, batez ere, industria fotovoltaikoan erabiltzen dira..Hori dela eta, 2021ean erdieroaleen industrian erabilitako polisilizio kopurua 37.000 tona ingurukoa dela pentsa daiteke.Gainera, FortuneBusiness Insights-ek erdieroaleen industriaren etorkizuneko hazkunde-tasa konposatuaren arabera, erdieroaleen erabilerarako polisilizio-eskaria %8,6ko urteko tasa handituko da 2022tik 2025era. Estimatzen da 2025ean, Erdieroaleen eremuan polisilicioa 51.500 tona ingurukoa izango da.(Txostenaren iturria: Future Think Tank)
3, Polisiliziozko inportazioa eta esportazioa: inportazioek esportazioak askoz gainditzen dituzte, Alemaniak eta Malaysiak proportzio handiagoa hartzen dute.
2021ean, Txinako polisiliziozko eskaeraren % 18,63 inguru inportazioetatik etorriko da, eta inportazioen eskalak esportazioen eskala askoz gainditzen du.2017tik 2021era, polisilizioaren inportazio- eta esportazio-eredua inportazioak dira nagusi, azken urteotan azkar garatu den industria fotovoltaikoaren beheranzko eskari indartsuaren ondorioz izan daiteke, eta polisilizio-eskariaren % 94 baino gehiago da. eskaera osoa;Horrez gain, konpainiak ez du oraindik purutasun handiko elektronika-mailako polisilicioaren ekoizpen-teknologia menderatu, beraz, zirkuitu integratuko industriak eskatzen duen polisilizio batzuk oraindik inportazioetan oinarritu behar dira.Silizioko Industria Adarraren datuen arabera, inportazio-bolumenak behera egiten jarraitu zuen 2019an eta 2020an. 2019an polisiliziozko inportazioen beherakadaren oinarrizko arrazoia ekoizpen-ahalmenaren hazkunde nabarmena izan zen, 2018an 388.000 tonatik 452.000 tonara igo zen. 2019an. Aldi berean, OCI, REC, HANWHA Atzerriko enpresa batzuk, hala nola, atzerriko enpresa batzuk, polisiliziozko industriatik atera dira galerak direla eta, beraz, polisilizioaren inportazioaren mendekotasuna askoz txikiagoa da;2020an produkzio-ahalmena handitu ez bada ere, epidemiaren eraginak proiektu fotovoltaikoen eraikuntzan atzerapenak ekarri ditu, eta polisiliziozko eskaera kopurua gutxitu egin da epe berean.2021ean, Txinako merkatu fotovoltaikoa azkar garatuko da, eta polisilizioaren itxurazko kontsumoa 613.000 tonara iritsiko da, inportazio bolumena suspertzera bultzatuz.Azken bost urteetan, Txinako polisiliziozko inportazio-bolumen garbia 90.000 eta 140.000 tona artekoa izan da, horietatik 103.800 tona inguru 2021ean. Espero da Txinako polisiliziozko inportazio-bolumen garbia 100.000 tona ingurukoa izango dela urtean 2022tik 2025era.
Txinako polisiliziozko inportazioak Alemania, Malaysia, Japonia eta Taiwan, Txinatik datoz batez ere, eta lau herrialde horietako inportazio guztiak %90,51 izango dira 2021ean. Txinako polisilizio inportazioen %45 inguru Alemaniatik datoz, %26 Malaysiatik. %13,5 Japoniatik, eta %6 Taiwanetik.Alemaniak munduko WACKER polisiliziozko erraldoiaren jabea da, hau da, atzerriko polisilizio-iturririk handiena, 2021ean mundu osoko ekoizpen-ahalmen osoaren %12,7 hartzen duena;Malaysiak Hego Koreako OCI konpainiaren polisiliciozko ekoizpen-lerro ugari ditu, eta TOKUYAMA, OCIk erositako Japoniako konpainiaren Malaysiako jatorrizko ekoizpen-lerrotik sortua.Badira lantegiak eta OCI Hego Koreatik Malaysiara eraman zituen lantegi batzuk.Lekualdatzearen arrazoia da Malaysiak doako lantegiko espazioa eskaintzen duela eta elektrizitatearen kostua Hego Koreakoa baino heren bat txikiagoa dela;Japoniak eta Taiwanek, Txinak TOKUYAMA, GET eta beste konpainia batzuk dituzte, polisiliziozko ekoizpenaren zati handi bat hartzen dutenak.leku bat.2021ean, polisiliziozko irteera 492.000 tonakoa izango da, eta instalatu berri den gaitasun fotovoltaikoa eta txiparen ekoizpen-eskaria 206.400 tona eta 1.500 tona izango dira hurrenez hurren, eta gainerako 284.100 tona, batez ere, prozesatzeko eta atzerrira esportatzeko erabiliko dira.Polisilizioaren beheranzko loturetan, siliziozko obleak, zelulak eta moduluak esportatzen dira batez ere, eta horien artean moduluen esportazioa nabarmentzen da.2021ean, 4.640 milioi silizio oblea eta 3.200 milioi zelula fotovoltaiko izan ziren.esportatuTxinatik, guztira 22,6GW eta 10,3GW-ko esportazioarekin hurrenez hurren, eta modulu fotovoltaikoen esportazioa 98,5GWkoa da, oso inportazio gutxirekin.Esportazio-balioaren osaerari dagokionez, 2021ean moduluen esportazioak 24.610 milioi dolarretara iritsiko dira, %86koa, eta ondoren siliziozko obleak eta pilak.2021ean, siliziozko obleen, zelula fotovoltaikoen eta modulu fotovoltaikoen ekoizpen globala % 97,3, % 85,1 eta % 82,3ra iritsiko da, hurrenez hurren.Datozen hiru urteetan munduko industria fotovoltaikoa Txinan kontzentratzen jarraituko duela espero da, eta lotura bakoitzaren irteera eta esportazio bolumena handia izango da.Hori dela eta, kalkulatzen da 2022tik 2025era, apurka-apurka handituko dela atzerrian esportatutako produktuak prozesatzeko eta ekoizteko erabilitako polisilizio kopurua.Atzerriko ekoizpena atzerriko polisilizio-eskariari kenduta kalkulatzen da.2025ean, beheko produktuetan prozesatutako polisilizioak 583.000 tona esportatuko ditu Txinatik atzerriko herrialdeetara.
4, Laburpena eta Perspektiba
Polisilizio-eskari globala eremu fotovoltaikoan kontzentratzen da batez ere, eta erdieroaleen eremuan eskaria ez da magnitude-ordena.Polisilizio-eskaria instalazio fotovoltaikoek bultzatzen dute, eta pixkanaka polisiliziora igortzen da modulu fotovoltaikoen-zelula-olata loturaren bidez, horren eskaria sortuz.Etorkizunean, instalatutako ahalmen fotovoltaiko globalaren hedapenarekin, polisilizio-eskaria baikorra da oro har.Baikorki, 2025ean polisilizio-eskaria eragin duten Txina eta atzerriko instalazio fotovoltaiko handitu berriak 36,96 GW eta 73,93 GW izango dira, hurrenez hurren, eta baldintza kontserbadoreetan eskaria 30,24 GW eta 60,49 GW ere iritsiko da hurrenez hurren.2021ean, mundu mailako polisiliziozko eskaintza eta eskaria estuak izango dira, eta ondorioz, mundu mailako polisiliziozko prezio altuak izango dira.Egoera honek 2022ra arte iraun dezake, eta pixkanaka-pixkanaka 2023. urtearen ostean hornidura soltearen fasera jo. 2020ko bigarren seihilekoan, epidemiaren eragina ahultzen hasi zen, eta beheranzko ekoizpenaren hedapenak polisilicioaren eskaria bultzatu zuen, eta enpresa garrantzitsu batzuek aurreikusi zuten. ekoizpena zabaltzeko.Hala ere, urte eta erdi baino gehiagoko hedapen-zikloak 2021 eta 2022 amaieran produkzio-ahalmena askatzea eragin zuen, eta 2021ean %4,24ko igoera izan zuen. 10.000 tonako hornikuntza-hutsunea dago, beraz, prezioak igo egin dira. zorrotz.Aurreikuspenen arabera, 2022an, instalatutako ahalmen fotovoltaikoaren baldintza baikor eta kontserbadoreetan, eskaintza eta eskariaren arteko tartea -156.500 tona eta 2.400 tonakoa izango da hurrenez hurren, eta hornikuntza orokorra oraindik nahiko eskaseko egoeran egongo dela.2023an eta aurrerago, 2021aren amaieran eta 2022 hasieran eraikitzen hasi ziren proiektu berriek produkzioa hasiko dute eta produkzio-ahalmena areagotuko dute.Eskaintza eta eskaria apurka-apurka askatuko dira, eta baliteke prezioak beheranzko presiopean egotea.Jarraipenean, Errusiar eta Ukrainako gerrak mundu mailako energia ereduan izan duen eraginari erreparatu behar zaio, eta horrek instalatu berri den ahalmen fotovoltaikoaren plan globala alda dezake, polisilizio-eskariari eragingo diona.
(Artikulu hau UrbanMines-en bezeroen erreferentziarako soilik da eta ez du inbertsio-aholkurik adierazten)